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DRV8329AREER

三相无刷直流电机栅极驱动器

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描述
65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET(NMOS)4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA,最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器(针对1个分流电阻优化) – 增益可调(5、10、20、40V/V)硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式,25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns(典型值)独立驱动器关断路径(DRVOFF)65V耐压唤醒引脚(nSLEEP)支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO(AVDD),3.3V ±3%,80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定(PVDDUV)、GVDD欠压(GVDDUV) – 自举欠压(BST_UV) – 过流保护(VDS_OCP、SEN_OCP) – 热关断(OTSD)故障状态指示器(nFAULT)
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
DRV8329AREER
商品编号
C7501205
商品封装
WQFN-36-EP(4x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.078克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相;半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数6
工作电压4.5V~60V
传播延迟 tpLH100ns
属性参数值
传播延迟 tpHL100ns
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.2V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)1uA

商品概述

65V三相半桥栅极驱动器 驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET(NMOS) 4.5至60V工作电压范围 支持带涓流充电泵的100%PWM占空比 基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA,最大峰值灌电流2000mA 集成低输入失调电流检测放大器(针对1个分流电阻优化) – 增益可调(5、10、20、40V/V) 硬件接口提供简单配置 超低功耗睡眠模式,25℃时电流<1μA 各相之间传播延迟匹配为4ns(典型值) 独立驱动器关断路径(DRVOFF) 65V耐压唤醒引脚(nSLEEP) 支持SHx上高达 -10V的负瞬变 6倍和3倍PWM模式 支持3.3V和5V逻辑输入 精确LDO(AVDD),3.3V ±3%,80mA 紧凑的QFN封装和引脚布局 可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值 可通过DT引脚调节死区时间 采用功率模块的高效系统设计 集成保护功能 – PVDD欠压锁定(PVDDUV)、GVDD欠压(GVDDUV) – 自举欠压(BST_UV) – 过流保护(VDS_OCP、SEN_OCP) – 热关断(OTSD) 故障状态指示器(nFAULT)

商品特性

  • 65V三相半桥栅极驱动器
  • 驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET(NMOS)
  • 4.5至60V工作电压范围
  • 支持带涓流充电泵的100%PWM占空比
  • 基于自举的栅极驱动器架构
  • 最大峰值源电流1000mA
  • 最大峰值灌电流2000mA
  • 集成低输入失调电流检测放大器(针对1个分流电阻优化)
  • 增益可调(5、10、20、40V/V)
  • 硬件接口提供简单配置
  • 超低功耗睡眠模式,25℃时电流<1μA
  • 各相之间传播延迟匹配为4ns(典型值)
  • 独立驱动器关断路径(DRVOFF)
  • 65V耐压唤醒引脚(nSLEEP)
  • 支持SHx上高达 -10V的负瞬变
  • 6倍和3倍PWM模式
  • 支持3.3V和5V逻辑输入
  • 精确LDO(AVDD),3.3V ±3%,80mA
  • 紧凑的QFN封装和引脚布局
  • 可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值
  • 可通过DT引脚调节死区时间
  • 集成保护功能:PVDD欠压锁定(PVDDUV)、GVDD欠压(GVDDUV)、自举欠压(BST_UV)、过流保护(VDS_OCP、SEN_OCP)、热关断(OTSD)
  • 故障状态指示器(nFAULT)

应用领域

  • 无刷直流(BLDC)电机模块和永磁同步电机(PMSM)
  • 无绳园艺和电动工具、割草机
  • 家电风扇和泵
  • 伺服驱动器
  • 电动自行车、电动滑板车和电动交通工具
  • 无绳吸尘器
  • 无人机
  • 工业和物流机器人以及遥控玩具

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优惠活动

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(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个5000个/圆盘

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