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TPM2025-FC1R
汽车级双通道超高速GaN预驱动器
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- 品牌名称
- 3PEAK(思瑞浦)
- 商品型号
- TPM2025-FC1R
- 商品编号
- C7497266
- 商品封装
- QFN-10(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030769克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 7A | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 上升时间(tr) | 450ps | |
| 下降时间(tf) | 450ps |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 2ns | |
| 传播延迟 tpHL | 2ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.8V | |
| 静态电流(Iq) | 105uA | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
TPM2025 / TPM2025Q 系列是用于氮化镓和逻辑电平 MOSFET 的双通道超高速低侧栅极驱动器。它针对高速应用进行了优化，例如高密度功率转换器，并采用了增强的低传播延迟设计。TPM2025 的 2mm×2mm 倒装 QFN 封装最大限度地减少了栅极驱动器功率回路中的寄生电感，并实现了业界领先的窄脉冲宽度，短至 0.69 ns。通道独立的瞬态抑制器确保在超快、高电流输出脉冲下可靠运行。
商品特性
- 符合 AEC-Q100 Grade-1 标准（仅限 TPM2025Q）
- 双独立通道
- 5V 单电源，具有优化的输出阻尼，确保氮化镓可靠性
- 7A 峰值源电流和 5A 灌电流驱动能力
- 0.69 ns 最小输入脉冲宽度（典型值）
- 低传播延迟（2 ns 典型值）
- 针对纳秒级脉冲宽度优化的引脚排列
- 快速上升和下降时间（0.45 ns 和 0.45 ns 典型值）
- 两通道间延迟匹配 <0.61 ns（典型值）
- ESD 保护超过 JESD 22 标准 – 6 kV HBM，1.5 kV CDM
- 提供 Flip-Chip QFN2X2-10 封装
应用领域
- 激光测距系统
- 驾驶员监控系统
- 氮化镓 DC/DC 转换系统