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6R190C6
1个N沟道 耐压:650V
描述
30Vgs(±V)；3.5Vth(V)
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
6R190C6商品编号
C7494642商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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