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IRFZ44NS-HXY
1个N沟道 耐压:55V 电流:49A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-263封装，具有55V高耐压及卓越的49A大电流处理能力。专为高性能、高功率开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，提供出色的能效与系统稳定性表现。
- 商品型号
- IRFZ44NS-HXY
- 商品编号
- C7469134
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.954693克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@25A | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
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