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IRFP450-HXY
N沟道 500V 14A
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- 描述
- 本款工业级N沟道MOSFET采用TO-247S封装，具有500V高耐压及14A大电流承载能力，适用于高压电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能开关控制与卓越的功率管理解决方案。
- 商品型号
- IRFP450-HXY
- 商品编号
- C7469135
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.159551克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品概述
IRFP450采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 500V,ID = 14A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 0.5Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源