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MMDTX441DW
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV@10mA,0.5mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品特性
- 具有不同极性且内置偏置电阻R1（47 KΩ）和R2（47 KΩ）的晶体管
- 简化电路设计
- 减少元件数量和电路板空间
- 无卤素和锑（HAF），符合RoHS标准
应用领域
- 适用于开关和接口电路以及驱动电路应用
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