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MCG53N06AHE3-TP实物图
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MCG53N06AHE3-TP

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SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:AEC-Q101合格。 分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低Rps(ON)的高密度单元设计。 湿度敏感度等级3。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层/符合RoHS标准
品牌名称
MCC(美微科)
商品型号
MCG53N06AHE3-TP
商品编号
C7463941
商品封装
DFN3333​
包装方式
编带
商品毛重
0.12142克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)53A
导通电阻(RDS(on))7.8mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)45W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)31nC@10V
输入电容(Ciss)1.85nF@30V
反向传输电容(Crss)20pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

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