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CS8N65ARR
CS8N65ARR
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- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CS8N65ARR
- 商品编号
- C7462548
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 860mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CS8N65 ARR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,可降低导通损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 262,符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson≤1.0Ω)
- 低栅极电荷(典型数据:29nC)
- 低反向传输电容(典型值:6.6pF)
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路。
- X0600T-02-PV01-A34RB-L100-T3
- X0600T-03-PV01-A34RYB-L100-T3
- X0600T-04-PV01-A34RYGB-L200-T3
- X0600T-05-PV01-A34RYGWB-L200-T3
- X0600T-06-PV01-A34RYGWLB-L300-T3
- X0600T-07-PV01-A34RYGWLPB-L300-T3
- X0600T-08-PV01-A34RYGWLP(YR)B-L300-T3
- X0800T-02-PV01-A32RB-L200-X0800T-F
- X0800T-03-PV01-A32RLB-L200-X0800T-F
- X0800T-04-PV01-A32RLLB-L200-X0800T-F
- X0800T-05-PV01-A32RLLLB-L200-X0800T-F
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- X0800T-08-PV01-A32RLLLLLLB-L200-X0800T-F
- KFM736A3-5.08-3*2P
- KFM736A3-5.08-3*3P
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