- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
CR13N50F A9K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
- CS6562LO
- CS8N65ARR
- X0600T-02-PV01-A34RB-L100-T3
- X0600T-03-PV01-A34RYB-L100-T3
- X0600T-04-PV01-A34RYGB-L200-T3
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