- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
CR13N50F A9K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
- CS6562LO
- CS8N65ARR
- 01.X.MD.120HHRI0012800000
- 01.X.MD.120HHRI016000000
- 01.X.MF.107HHRI0048000000
- 01.X.MD.112LLRI0012000000
- 01.X.MH.110HHRI0025000000
- 01.X.MD.108IJRI0027000000
- 01.X.ME.107HHRI0019200000
- 01.X.MD.105HMVF0008000000
- 01.X.ME.112HJVF0038400000
- 01.O.MC.GTFRIAF48000000
- 01.X.MD.118HHPI0027120000
- 01.X.ME.120JJRI0027000000
- 01.X.SD.117JLVF04000000
- 01.X.SA.120ILVF0013528750
- 01.X.MH.110HJVF0027120000
- 01.X.SD.120JLPJ024000000
- 01.X.ME.115HHTF0040000000
- 01.X.MD.110HIVF0032000000
- 01.X.MD.110JLVF0030000000