CR13N50FA9K

CR13N50F A9K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。

• 快速开关
• 低导通电阻
• 低栅极电荷
• 低反向传输电容
• 100%单脉冲雪崩能量测试

• 适配器和充电器的功率开关电路。