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DR702QAQFN32

汽车H桥栅极驱动器

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描述: DR702Q/703Q是针对汽车应用的智能单H桥驱动器，可同时驱动四个外部N沟道MOSFET以驱动双向有刷直流电机。DR702Q支持硬件配置接口，DR703Q支持SPI配置接口。两款器件均支持PH/EN、独立H-Bridge或标准PWM接口，可实现正转、反转、慢刹、滑行等多种电机控制。
品牌名称: analogysemi(类比半导体)
商品型号: DR702QAQFN32
商品编号: C7461659
商品封装: QFN-32
包装方式: 编带
商品毛重: 0.135克(g)

商品参数

	属性	参数值
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.5V~5.25V
	输入低电平(VIL)	0V~800mV
	静态电流(Iq)	5.5mA

商品概述

DR702Q/703Q是针对汽车应用的智能单H桥驱动器，可同时驱动四个外部N沟道MOSFET以驱动双向有刷直流电机。DR702Q支持硬件配置接口，DR703Q支持SPI配置接口。两款器件均支持PH/EN、独立H-Bridge或标准PWM接口，可实现正转、反转、慢刹、滑行等多种电机控制。此外，集成电荷泵架构支持100%占空比输出，也可用于驱动外部电池反接保护开关。DR702Q/703Q还可以通过独立半桥模式以经济高效的方式顺序控制多个直流电机。

DR702Q/703Q集成了电流采样放大器，并包含使用固定关断时间PWM电流斩波来调节绕组电流的功能。通过集成智能栅极驱动器模块，DR702Q/703Q器件可以保护外部FET，而无需额外增加任何外部栅极组件，如电阻器和齐纳二极管等。DR702Q/703Q器件结合了保护功能和栅极驱动可配置性，以简化设计并将电机系统的智能提升到一个新的水平。例如，可配置死区时间优化可避免直通、有源/无源下拉，并防止DV/DT栅极转动；可编程转换率控制在降低EMI方面提供了灵活性。DR702Q/703Q还集成了各种保护功能—UVLO、CPUV、OCP、TSD、GDF、看门狗定时器等。

商品特性

车规级AEC-Q100认证器件温度等级1：-40℃至125℃工作环境温度
单H桥栅极驱动器驱动四个外部N沟道MOSFET支持100%PWM占空比
电源电压范围：运行电压：5.5V至45V，最大绝对额定值：55V
三种控制方式PH/EN，独立H-bridge和标准PWM
SPI接口(DR703Q)
智能栅极驱动架构可调转换率控制可调输出死区时间
支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入
集成电流采样放大器
集成PWM电流调节
低功耗睡眠模式
保护功能：电源欠压闭锁(UVLO)、电荷泵欠压闭锁(CPUV)、过流保护(OCP)、栅极驱动器故障(GDF)、热关断(TSD)、看门狗定时器(DR703Q)、故障状态输出管脚(nFAULT)

应用领域

电动车窗升降器、天窗、座椅、推拉门和尾门
继电器驱动
电动驻车制动器(EPB)
直流有刷泵

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥
	负载类型	MOSFET
	灌电流(IOL)	500mA
	拉电流(IOH)	250mA
	工作电压	5.5V~45V