温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI2305 2305

1个P沟道耐压:12V 电流:3.4A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：RDS(ON) ≤ 65 mΩ @ VGS =-4.5 V。 RDS(ON) ≤ 100 mΩ @ VGS =-2.5 V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。可靠耐用。静电敏感设备。应用：笔记本电脑电源管理。便携式设备
品牌名称: YONGYUTAI(永裕泰)
商品型号: SI2305 2305
商品编号: C7461721
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.033933克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss / Ciss 比值，使其具有出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，即使在非常高的频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。

商品特性

快速开关，低 EMI
低 trr，高可靠性
超低 Crss，提高抗噪性
低栅极电荷
雪崩能量额定
符合 RoHS 标准

应用领域

ZVS 移相及其他全桥电路
半桥电路
功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
降压转换器
单开关和双开关正激电路
反激电路

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	12V
	连续漏极电流(Id)	3.4A
	导通电阻(RDS(on))	53mΩ@10V,4.5A
	耗散功率(Pd)	350mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	1.66nF@15V
	反向传输电容(Crss)	105pF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)