ADR439AR

ADR43x系列是一系列采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用专利温度漂移曲率校正和XFET（额外注入结型场效应晶体管）技术，ADR43x的电压随温度变化的非线性被降至最低。 与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800 μA），所需的电源电压裕量更小（2 V）。掩埋齐纳基准源的工作需要超过5 V的裕量。ADR43x XFET基准源是5 V系统中唯一的低噪声解决方案。 ADR43x系列能够提供高达30 mA的输出电流，并吸收高达20 mA的电流。它还配备了一个微调端子，可在不影响性能的情况下将输出电压调节范围控制在0.5%以内。 ADR43x提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC封装。所有版本均适用于-40°C至+125°C的扩展工业温度范围。

• 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：输出为2.5 V时，峰峰值为3.5 μV
• 无需外部电容
• 低温度系数 A级：最大10 ppm/°C B级：最大3 ppm/°C
• 负载调整率：15 ppm/mA
• 线性调整率：20 ppm/V
• 宽工作范围 ADR430：4.1 V至18 V ADR431：4.5 V至18 V ADR433：5.0 V至18 V ADR434：6.1 V至18 V ADR435：7.0 V至18 V ADR439：6.5 V至18 V
• 高输出源电流和吸收电流：+30 mA和−20 mA
• 宽温度范围：-40°C至+125°C

• 精密数据采集系统
• 高分辨率数据转换器
• 医疗仪器
• 工业过程控制系统
• 光控电路
• 精密仪器