商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 整流电流 | 66A | |
| 正向压降(Vf) | 1.5V@20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 80uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 125A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
商品概述
碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管具有性能优势，电力电子系统有望比基于硅的解决方案满足更高的效率标准，同时达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可以轻松并联，以满足各种应用需求，而无需担心热失控。结合SiC产品减少的散热需求和改进的热性能，SiC二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。 封装类型：TO - 220 - 2 标记：C6D20065A
商品特性
- 正向电压（VF）降较低，且具有正温度系数
- 零反向恢复电流/正向恢复电压
- 开关特性与温度无关
应用领域
- 工业开关模式电源
- 不间断电源和辅助电源
- 功率因数校正（PFC）和DC - DC级升压
- 太阳能逆变器