商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ |
商品概述
PTVA047002EV LDMOS场效应晶体管专为470 MHz至806 MHz频段的功率放大器应用而设计。其特性包括高增益和带螺栓固定法兰的热增强型封装。该器件具有出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 宽带内部输入和输出匹配
- P1dB时的输出功率 = 172 W
- P3dB时的输出功率 = 208 W
- P3dB时的效率 = 64.4%
- 增益 = 20.3 dB
- 在28 V、120 W(连续波)输出功率下可承受10:1的电压驻波比
- 集成静电放电保护
- 低热阻
- 无铅且符合RoHS标准
应用领域