商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
Power MOS 8TM是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。采用专有平面条纹设计，具有出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低Crss“米勒”电容实现低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率，即使在非常高的频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。
商品特性
- 碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管技术
- 输入匹配
- 典型连续波性能,1880 MHz,48 V
- P3dB时输出功率 = 45 W
- 效率 = 60.7%
- 增益 = 21.6 dB
- 人体模型,1A类(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
- 能承受10:1的电压驻波比,48 V、40 W(连续波)输出功率
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激（不对称桥）
- 单开关正激
- 反激
- 逆变器