TFB0504-NHP
半桥 IGBT MOSFET 灌电流550mA 拉电流300mA
- 描述
- 单相, 内置自举二极管,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
- 品牌名称
- TFSS(德律风根)
- 商品型号
- TFB0504-NHP
- 商品编号
- C7436033
- 商品封装
- TDFN-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.000816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 550mA | |
| 拉电流(IOH) | 300mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 560ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 350uA |
商品概述
TFB0504是一款半桥栅极驱动器,集成了自举二极管,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。先进的工艺使浮动高端驱动器在自举配置下可工作至100V。 TFB0504逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,旨在将驱动器的交叉导通降至最低。TFB0504具有420ns(典型值)的固定内部死区时间。 为简化设计并减少物料清单,TFB0504集成了自举二极管。此外,TFB0504采用节省空间的TDFN - 10封装,工作温度范围扩展至 - 40℃至 + 125℃。
商品特性
- 自举操作下浮动高端驱动器可工作至100V
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- 集成自举二极管,设计紧凑
- 300mA源极/550mA灌极输出电流能力
- 输出可耐受负瞬变
- 420ns内部死区时间,保护MOSFET
- 宽低端栅极驱动器电源电压:10V至20V
- 逻辑输入(IN和sD*)支持3.3V
- 施密特触发逻辑输入
- νcc(逻辑和低端电源)欠压锁定
- 扩展温度范围: - 40℃至 + 125℃
- 节省空间的3x3mm TDFN - 10封装
应用领域
- 步进电机驱动器
- DC - DC转换器
- 电池供电工具
- 无刷直流电机驱动器
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交3单
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