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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TFB0504-NHP

半桥 IGBT MOSFET 灌电流550mA 拉电流300mA

描述
单相, 内置自举二极管,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
品牌名称
TFSS(德律风根)
商品型号
TFB0504-NHP
商品编号
C7436033
商品封装
TDFN-10​
包装方式
编带
商品毛重
0.000816克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)550mA
拉电流(IOH)300mA
工作电压10V~20V
属性参数值
上升时间(tr)80ns
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpLH560ns
传播延迟 tpHL150ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)350uA

商品概述

TFB0504是一款半桥栅极驱动器,集成了自举二极管,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。先进的工艺使浮动高端驱动器在自举配置下可工作至100V。 TFB0504逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,旨在将驱动器的交叉导通降至最低。TFB0504具有420ns(典型值)的固定内部死区时间。 为简化设计并减少物料清单,TFB0504集成了自举二极管。此外,TFB0504采用节省空间的TDFN - 10封装,工作温度范围扩展至 - 40℃至 + 125℃。

商品特性

  • 自举操作下浮动高端驱动器可工作至100V
  • 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
  • 集成自举二极管,设计紧凑
  • 300mA源极/550mA灌极输出电流能力
  • 输出可耐受负瞬变
  • 420ns内部死区时间,保护MOSFET
  • 宽低端栅极驱动器电源电压:10V至20V
  • 逻辑输入(IN和sD*)支持3.3V
  • 施密特触发逻辑输入
  • νcc(逻辑和低端电源)欠压锁定
  • 扩展温度范围: - 40℃至 + 125℃
  • 节省空间的3x3mm TDFN - 10封装

应用领域

  • 步进电机驱动器
  • DC - DC转换器
  • 电池供电工具
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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