H5AN8G6NDJR-VKC

H5AN8G4NDJR-xxC、H5AN8G8NDJR-xxC、H5AN8G6NDJR-xxC 是一款 8Gb CMOS 双倍数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器，非常适用于需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。该 8Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步的操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿均被采样。数据路径采用内部流水线设计和 8 位预取，以实现极高的带宽。

• 工作电压 VDD = VDDQ = 1.2V ± 0.06V
• 完全差分时钟输入 (CK, CK（上划线）) 操作
• 差分数据选通 (DQS, DQS（上划线）)
• 片内延迟锁相环将 DQ、DQS 和 DQS（上划线）的转换与 CK 的转换对齐
• 数据掩码在数据选通的上升沿和下降沿屏蔽写入数据
• 除数据、数据选通和数据掩码外，所有地址和控制输入均在时钟上升沿锁存
• 支持可编程列地址选通延迟：9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 和 20
• 支持可编程附加延迟：0、CL-1 和 CL-2（仅限 x4/x8 配置）
• 可编程列地址选通写入延迟 (CWL) = 9、10、11、12、14、16、18
• 可编程突发长度 4/8，支持半字节顺序和交错模式
• 支持突发长度动态切换
• 16 个存储体
• 平均刷新周期（外壳温度 0°C ~ 95°C）
• 在 0°C ~ 85°C 下为 7.8 μs
• 在 85°C ~ 95°C 下为 3.9 μs
• 符合 JEDEC 标准的 78 球 FBGA 封装 (x4/x8) 和 78 球 FBGA 封装 (x16)
• 通过模式寄存器选择驱动强度
• 支持动态片内终端
• 支持两种终端状态（如 RTT_PARK 和 RTT_NOM），可通过 ODT 引脚切换
• 支持异步复位引脚
• 支持 ZQ 校准
• 支持 TDQS（终端数据选通，仅限 x8 配置）
• 支持写入均衡
• 8 位预取
• 本产品符合 RoHS 指令
• 支持内部生成 Vref DQ 电平
• 所有速度等级均支持写入循环冗余校验
• 支持最大省电模式
• 支持温度控制自动刷新模式
• 支持低功耗自动自刷新模式
• 支持细粒度刷新
• 支持每 DRAM 可寻址性
• 支持降速模式（1/2 速率、1/4 速率）
• 支持可编程读写前导码
• 支持自刷新中止
• 支持命令/地址奇偶校验模式
• 应用存储体分组，支持访问同一或不同存储体组中的存储体时的列地址选通到列地址选通延迟
• 支持数据总线反转（x8 配置）