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XCH2N65AG
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 芯片采用VDMOS结构，具有较低的导通电阻，适用于各类开关电源电路。
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- XCH2N65AG
- 商品编号
- C7435478
- 商品封装
- SOT223-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 31pF |
商品概述
XCH2N65AG是一款硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为SOT - 223 - 3L，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。