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FDS4435
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = 10V (Typ11mΩ)。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的散热封装。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- FDS4435
- 商品编号
- C7432794
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15905克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
3401 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 3401 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
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