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2N7002WT1G-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2N7002WT1G-VB商品编号
C7428938商品封装
SC70-3包装方式
编带
商品毛重
0.036433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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