温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GBS65060TOA
1个N沟道 耐压:650V 电流:50A
- 描述
- 650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，在谐振开关拓扑中提供了非常高的效率。超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。采用TO-220封装。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBS65060TOA
- 商品编号
- C7426972
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 650V击穿电压
- 超低RDS-ON和品质因数(FOM)
- 超快体二极管
- 快速开关
应用领域
-服务器电源-电信电源-电动汽车充电器-电机驱动器
相似推荐
其他推荐