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GBS65060TOB
1个N沟道 耐压:650V 电流:50A
- 描述
- 650V高压超结MOSFET实现超低导通电阻和栅极电荷。由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，在谐振开关拓扑中提供非常高的效率。超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。采用TO-247封装。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBS65060TOB
- 商品编号
- C7426973
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
CMSA7405采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 静电放电保护
- 更低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 符合RoHS标准
应用领域
- 系统/负载开关
- 电池开关