EV1320QI
2A DDR内存终止转换器
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- EV1320QI 是一款专门设计用于内存终止应用的 DC-DC 转换器。它提供高达 96% 的效率,同时提供与线性终止设备类似的解决方案尺寸。该设备需要的外部元件很少,只需少量外部 MLCC 电容器。
- 品牌名称
- Intel/Altera
- 商品型号
- EV1320QI
- 商品编号
- C7422748
- 商品封装
- QFN-16(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 3V~3.465V | |
| 输出电压 | 475mV~900mV | |
| 输出电流 | 2A | |
| 开关频率 | 625kHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | 6mA | |
| 开关管(内置/外置) | - | |
| 输出类型 | - |
商品概述
EV1320QI是一款专门为内存端接应用设计的直流 - 直流转换器。该器件效率高达96%,同时其解决方案占用空间与线性端接器件相近。 EV1320QI采用3mm×3mm×0.55mm的16引脚QFN封装,仅需少量外部多层陶瓷片式电容器(MLCC)。该器件设计为直接从VDDQ电源轨供电,无需外部分压器或参考源。EV1320QI可提供非常稳定的输出电压(VTT),该电压跟踪VDDQ,同时可吸收和提供高达2A的连续输出电流。最多可将4个EV1320QI器件并联,以提供高达8A的电流。带有输出放电功能的使能引脚可用于S3(挂起到内存)状态。 EV1320QI专门设计用于满足当前和未来高性能DDR2、DDR3、DDR4、QDR以及低功耗DDR3/DDR4 JEDEC VTT的精确电压和快速瞬态要求。先进的电路技术和高开关频率可实现高质量、紧凑的非隔离式直流 - 直流转换。 EV1320QI旨在取代低效率的线性稳压器以及昂贵的开关模式直流 - 直流内存端接器。获得专利的EV1320QI架构可实现高达96%的效率,其解决方案占用空间与线性稳压器相近。 输出电压(VOUT,即VTT)以±40mV的精度跟踪1/2 VDDQ,符合DDR2/3/4/QDR和低功耗DDR3/4 JEDEC内存端接要求。EV1320QI直接跟踪VDDQ,因此无需单独的参考电压或电阻分压器网络。
商品特性
- 高效率,高达96%
- 总解决方案尺寸40mm²,无需外部电感器
- 符合JEDEC标准的DDR2/3/4/QDR和低功耗DDR3/4解决方案
- 带输出放电功能的使能引脚,支持S3(挂起到内存)模式
- 直接从VDDQ供电
- 输出电压(VOUT,即VTT)跟踪VDDQ/2 ± 40mV
- 可吸收和提供高达2A的连续电流
- 最多可并联4个器件,提供8A的VTT电流
- 可编程软启动/软关断
- 经济高效的集成解决方案
- 热过载、过流、短路和欠压保护
- 符合RoHS标准,MSL 3级,260℃回流焊
应用领域
- DDR2、DDR3、DDR4、低功耗DDR3、DDR4和QDR内存的VTT总线端接
