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TPM2023PEC3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM2023PEC3

耐压:20V 电流:700mA

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商品型号
TPM2023PEC3
商品编号
C7419949
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.0291克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)700mA
导通电阻(RDS(on))520mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)200mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
输入电容(Ciss)170pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款HEXFET®功率MOSFET采用了最新的加工技术,以实现极低的单位硅面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

商品特性

  • -20V,-0.7A
  • 最大-4.5V时,RDS(on)=520mΩ
  • 最大-2.5V时,RDS(on)=700mΩ
  • -1.8V时,RDS(on) = 950mΩ(典型值)

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF