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SiLM27624MCA-DG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SiLM27624MCA-DG

SiLM27624MCA-DG

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描述
SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,且传播延迟极小,典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时,SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A
商品型号
SiLM27624MCA-DG
商品编号
C7419945
商品封装
SOP8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25936克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)5A
拉电流(IOH)5A
工作电压4.5V~30V
属性参数值
上升时间(tr)7ns
下降时间(tf)6ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)1.8V~2.3V
输入低电平(VIL)800mV~1.2V

商品概述

SiLM27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SiLM27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,且传播延迟极小,典型值为20ns。 在12V VDD电源下,SiLM27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流能力。

商品特性

  • 两个独立的栅极驱动通道
  • 5.0A峰值源极和5.0A峰值漏极电流驱动能力
  • 快速传播延迟(典型值20ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值分别为7ns和6ns)
  • 4.5至30V单电源范围
  • 欠压锁定
  • TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值
  • 输入可处理负电压(-5V)
  • 两通道间2ns的延迟匹配
  • 两个输出可并联以获得更高驱动电流
  • 输入浮空时输出保持低电平
  • 工作温度范围为-40℃至150℃
  • 提供SOP8和MSOP8-EP封装选项

应用领域

  • 开关模式电源
  • DC-DC转换器
  • 电机控制、太阳能电源
  • 新兴宽带隙功率器件(如GaN)的栅极驱动

数据手册PDF