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ZXMN10A11KTC

1个N沟道耐压:100V 电流:2.4A

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品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: ZXMN10A11KTC
商品编号: C7418395
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.438克(g)

商品参数

商品概述

TP65H150G4PS 650V、150mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管是一款常关型器件。它结合了先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术，简化了制造工艺，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷，提高了相对于硅器件的效率。

商品特性

第四代技术
符合JEDEC标准的GaN技术
经过动态RDS(on)eff生产测试
稳健设计，体现在
- 宽栅极安全裕量
瞬态过压能力
极低的QRR
降低的交越损耗
符合RoHS标准且无卤封装

应用领域

消费电子-电源适配器-低功率开关电源-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	3.5A
	导通电阻(RDS(on))	350mΩ@10V,2.6A
	耗散功率(Pd)	8.5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	5.4nC@10V
	输入电容(Ciss)	274pF@50V
	反向传输电容(Crss)	11pF@50V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)