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ZXMN6A08GQTA
1个N沟道 耐压:60V 电流:5.3A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：无刷直流（BLDC）电机、直流 - 直流（DC - DC）转换器、负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN6A08GQTA
- 商品编号
- C7418399
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 459pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 44.2pF |
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