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TSM120N06LCP ROG
1个N沟道 耐压:60V 电流:70A
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- 描述
- 特性：低导通电阻 (RDS(ON))，可降低传导损耗。 逻辑电平。 低栅极电荷，实现快速功率切换。 100%进行US和Rg测试。 符合RoHS指令2011/65/EU和WEEE 2002/96/EC标准。 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品。应用：无刷直流电机控制。 电池电源管理
- 商品型号
- TSM120N06LCP ROG
- 商品编号
- C7402461
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.118nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 136pF |