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TSM150NB04LCR RLG

1个N沟道耐压:40V 电流:41A 电流:10A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM150NB04LCR RLG
商品编号: C7402463
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低RDS(ON),以最小化传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行UIS和Rg测试
工作结温达175°C
符合欧盟 RoHS 指令2011/65/EU,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

-无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	10A；41A
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.1W；56W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	18nC@10V
	输入电容(Ciss)	966pF
	反向传输电容(Crss)	64pF
	工作温度	-55℃~+175℃