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CTD02N4P8
CTD02N4P8
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- 商品型号
- CTD02N4P8
- 商品编号
- C783102
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力
- 符合RoHS标准
- 可选绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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