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CTN04N7P5
40V N沟道沟槽MOSFET
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- 商品型号
- CTN04N7P5
- 商品编号
- C783141
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.332nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 硬开关和高频电路
- FS32K118LAT0MLFT
- MPX5010DP
- S9KEAZN8AMTGR
- MKE04Z128VLD4
- QN9021BN
- QN9080DHNE
- GCM1887U2A472JA16D
- GRM022R71A101KA01L
- GRM188B11H221KA01D
- GRM1882C1H470JA01D
- LQG15HH33NJ02D
- GRM1882C1H222FA01D
- BLM15HD102SZ1D
- CSTNE16M0V53Z000R0
- DFE201610E-R24M=P2
- GRM155C81E105ME11D
- GRM1885C2A201JA01D
- GRM1887U1H103JA01D
- LQG18HH18NJ00D
- YM02-AM02
- YTL-YD07-CM03