VIT2060C-E3/4W

双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，在正向电流IF = 5 A时，超低正向压降VF = 0.40 V

• 沟槽MOS肖特基技术
• 低正向压降，低功率损耗
• 高效运行
• 符合J - STD - 020标准的MSL 1级，RoHS无铅最高峰值温度245°C（适用于D2PAK (TO - 263AB)封装）
• 焊锡浴温度最高275~°C，持续10 s，符合JESD 22 - B106标准（适用于TO - 220AB、ITO - 220AB和TO - 262AA封装）

用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或门二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。