VBT2060C-M3/8W

双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，在正向电流IF = 5 A时，超低正向电压VF = 0.40 V。

• 沟槽MOS肖特基技术
• 正向压降小，功率损耗低，符合RoHS标准
• 高效运行，无卤
• 符合J - STD - 020标准的MSL 1级，无铅最高峰值温度为245°C

用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。