VBT3080C-E3/8W

双沟槽MOS势垒肖特基整流器，在正向电流IF = 5 A时，超低正向压降VF = 0.46 V。

• 沟槽MOS肖特基技术
• 低正向压降，低功率损耗
• 高效运行
• 符合J - STD - 020标准的MSL 1级，LF最大峰值温度为245°C（适用于D²PAK (TO - 263AB)封装）
• 符合JESD 22 - B106标准，焊锡浴最高温度275°C，持续10 s（适用于TO - 220AB、ITO - 220AB和TO - 262AA封装）

用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或门二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。