TP65H150G4LSG-TR
1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TP65H150G4LSG-TR
- 商品编号
- C7364683
- 商品封装
- PQFN-3(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,8.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 598pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 1.5-V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 240 mΩ（最大值）（VGS = - 1.5 V时）；RDS(ON) = 168 mΩ（最大值）（VGS = - 1.8 V时）；RDS(ON) = 123 mΩ（最大值）（VGS = - 2.5 V时）；RDS(ON) = 93 mΩ（最大值）（VGS = - 4.5 V时）
应用领域
- 电源管理开关