SMJ4416-15JDL

SMJ4416是一款高速、65,536位的动态随机存取存储器，组织形式为16,384个字，每个字4位。它采用了先进的SMOS（缩放MOS）N沟道双层多晶硅栅极技术，兼具高性能、低成本和高可靠性。 SMJ4416的行地址选通（RAS）访问时间最长可达150 ns。典型工作功耗为200 mW，典型待机功耗为17.5 mW。 SMoS技术允许使用单一5 V电源供电，降低了系统电源和去耦要求，简化了电路板布局。IDD峰值已降至典型值60 mA，并且能够承受 - 1 V的输入电压下冲，最大限度地减少了系统噪声问题。采用输入钳位二极管，简化了系统设计。 刷新周期延长至4毫秒，在此期间，为了保留数据，必须用RAS选通256行中的每一行。在刷新序列期间，列地址选通（CAS）可以保持高电平以节省功耗。所有输入和输出，包括时钟，都与54/74系列TTL兼容。所有地址线和数据输入都在片内锁存，以简化系统设计。数据输出不锁存，以提供更大的系统灵活性。SMJ4416采用18引脚、300密耳陶瓷侧焊双列直插式封装。它有 - 55 ℃至100 ℃和0 ℃至70 ℃两种温度范围可选。双列直插式封装设计用于插入中心间距为7.62 mm（300密耳）的安装孔排中。