TJ80S04M3L(T6L1,NQ
1个P沟道 耐压:40V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式:VDD = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TJ80S04M3L(T6L1,NQ
- 商品编号
- C7362256
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 740pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 970pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
- 低泄漏电流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)
- 增强模式:V_th = -2.0 至 -3.0 V(VDS = -10 V,ID = -1 mA)
应用领域
- 汽车
- 电机驱动器
- DC-DC 转换器
- 开关稳压器
