温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LSG65R1K6GT
650V 3A 1.6Ω N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用先进的超级结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSG65R1K6GT
- 商品编号
- C779919
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.866克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要高功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的栅极电荷（典型值Qg = 7.1 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）