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LNH08R085
1个N沟道 耐压:80V 电流:70A
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- 描述
- 这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNH08R085
- 商品编号
- C779903
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.141nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 189pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(72个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个72个/管
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