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R1LV0416DSB-7LI#B0实物图
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R1LV0416DSB-7LI#B0

R1LV0416DSB-7LI#B0

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商品型号
R1LV0416DSB-7LI#B0
商品编号
C7333535
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
托盘
商品毛重
1.436克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
属性参数值
功能特性-

商品概述

R1LV0416D是一款4兆位静态随机存取存储器,采用256千字×16位结构,由瑞萨高性能0.15μm CMOS和TFT技术制造。R1LV0416D系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。该系列具有低功耗待机功耗,因此适用于电池备份系统。R1LV0416D系列采用44引脚薄型小外形封装或48球细间距球栅阵列封装。

商品特性

  • 单3.0V电源:2.7V至3.6V
  • 快速访问时间:55/70ns(最大值)
  • 功耗:待机功耗3μW(典型值)(VCC = 3.0V)
  • 访问时间和周期时间相等
  • 数据输入输出共用,三态输出
  • 电池备份操作,电池备份有2个芯片选择
  • 温度范围:-40至+85°C

数据手册PDF