- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
R1RW0408DGE-2PR#B1
R1RW0408DGE-2PR#B1
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1RW0408DGE-2PR#B1
- 商品编号
- C7333545
- 商品封装
- SOJ-36
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
R1RW0408D是一款4兆位高速静态随机存取存储器，组织形式为512千字×8位。它采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）和高速电路设计技术，实现了高速访问时间。它非常适合需要高速、高密度内存和宽位宽配置的应用，如系统中的缓存和缓冲内存。R1RW0408D采用400密耳36引脚SOJ封装，适用于高密度表面贴装。
商品特性
- 单3.3V电源：3.3V ± 0.3V
- 访问时间：最大12ns
- 完全静态存储器
- 无需时钟或定时选通
- 访问时间和周期时间相等
- 直接与TTL兼容
- 所有输入和输出
- 工作电流：最大100mA
- TTL待机电流：最大40mA
- CMOS待机电流：最大5mA；L版本最大0.8mA
- 数据保持电流：L版本最大0.4mA
- 数据保持电压：L版本最小2.0V
- 中心VCC和VSS类型引脚输出
应用领域
- 系统缓存
- 系统缓冲内存