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SUM40010EL-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SUM40010EL-GE3

1个N沟道 耐压:40V 电流:120A

描述
特性:TrenchFET功率MOSFET。 最高175℃结温。 Qgd/Qgs比 < 0.5。 可采用逻辑电平栅极驱动。 100% Rg和UIS测试。应用:电源。 二次同步整流
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SUM40010EL-GE3
商品编号
C7325092
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)150nC@10V
输入电容(Ciss)115pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)7.41nF

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • Qgd/Qgs比 < 0.5
  • 可采用逻辑电平栅极驱动
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

-电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理

数据手册PDF