我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
SUP60020E-GE3实物图
  • SUP60020E-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SUP60020E-GE3

1个N沟道 耐压:80V 电流:150A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SUP60020E-GE3
商品编号
C7325096
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)227nC@10V
输入电容(Ciss)10.68nF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),封装为小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 沟道型功率MOSFET
  • 最高结温175°C
  • 极低的栅极-漏极电荷(Qgd),降低穿越平台电压(Vplateau)时的功率损耗
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性负载开关(UIS)测试

应用领域

  • 电源
  • 次级同步整流
  • DC/DC转换器
  • 电动工具
  • 电机驱动开关
  • DC/AC逆变器
  • 电池管理
  • 或门二极管/电子保险丝

数据手册PDF