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STB28NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:23A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB28NM60ND
- 商品编号
- C7324745
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,11.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.09nF@100V |
交货周期
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