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场效应管(MOSFET)
STL13NM60N
引脚图
此图展示了型号为 STL13NM60N 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 STL13NM60N 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
STL13NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STL13NM60N
商品编号
C7324960
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
385mΩ@10V
属性
参数值
耗散功率(Pd)
90W;3W
阈值电压(Vgs(th))
4V
栅极电荷量(Qg)
30nC@10V
输入电容(Ciss)
790pF
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