MX25L3239EMBI-10G
MX25L3239EMBI-10G
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L3239EMBI-10G
- 商品编号
- C7316571
- 商品封装
- VSOP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 32Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 15uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 7ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护 |
商品概述
MX25L3239E是32Mb的串行闪存存储器。
商品特性
- 兼容串行外设接口,支持模式0和模式3
- 具有33,554,432 x 1位结构或8,388,608 x 4位(四I/O模式)结构
- 有1024个相等的扇区,每个扇区4K字节
- 任何扇区均可单独擦除
- 有128个相等的块,每个块32K字节
- 任何块均可单独擦除
- 有64个相等的块,每个块64K字节
- 任何块均可单独擦除
- 电源工作范围:读、擦除和编程操作时为2.7至3.6伏
- 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
- 高性能,VCC = 2.7 ~ 3.6V
- 正常读取速度为50MHz
- 快速读取:1 I/O时为104MHz,有8个空周期;4 I/O时最高可达104MHz,4 I/O读取操作的空周期数可配置
- 快速读取(QPI模式):4 I/O时,4个空周期下为54MHz,6个空周期下为86MHz,8个空周期下为104MHz
- 快速编程时间:每页(每页256字节)典型值为0.7ms,最大值为3ms
- 字节编程时间:典型值为12us
- 支持8/16/32/64字节环绕突发读取模式
- 快速擦除时间:每扇区(每扇区4K字节)典型值为30ms;每块(每块64K字节)典型值为0.25s;每芯片典型值为10s
- 低功耗:104MHz时最大读取电流为19mA,33MHz时最大读取电流为10mA;典型编程电流为15mA;典型扇区擦除电流为10mA;典型待机电流为15μA;典型深度掉电电流为1μA
- 典型擦除/编程循环次数为100,000次
- 数据保留时间为20年
- 输入数据格式为1字节命令代码
- 具有高级安全特性:BP0 - BP3块组保护;当OTP WPSEL = 1时可灵活进行单个块保护;有额外4K位安全OTP用于唯一标识符
- 具有自动擦除和自动编程算法:可自动擦除并验证所选扇区的数据;通过内部算法自动对所选页面进行编程并验证数据,该算法可自动确定编程脉冲宽度(任何要编程的页面应首先处于擦除状态)
- 状态寄存器特性:命令复位;编程/擦除暂停;编程/擦除恢复;电子识别
- JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID;RES命令用于获取1字节设备ID
- 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
- SCLK输入为串行时钟输入
- SI/SIO0为串行数据输入或4×I/O模式下的串行数据输入/输出
- SO/SI01为串行数据输出或4×I/O模式下的串行数据输入/输出
- WP#/SIO2为硬件写保护或4×I/O模式下的串行数据输入/输出
- HOLD#/SIO3用于在不取消选择设备的情况下暂停设备或作为4×I/O模式下的串行数据输入/输出
- 封装形式:8引脚SOP(200mil);8引脚VSOP(200mil);8引脚WSON(6×5mm)
- 所有器件均符合RoHS标准且无卤素

