MX25L6408EZNI-12G
MX25L6408EZNI-12G
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L6408EZNI-12G
- 商品编号
- C7316577
- 商品封装
- WSON-8-EP(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.724克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 86MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 12uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 600us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三个总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入可实现对设备的串行访问。当处于双输出读取模式时，SI和SO引脚变为用于数据输出的SIO0和SIO1引脚。该设备可在整个芯片上进行顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法会对指定页面进行编程/擦除和验证。
商品特性
- 64兆位 [x 1 / x 2] CMOS串行闪存
- 单电源操作
- 读取、擦除和编程操作的电压为2.7至3.6伏
- 兼容串行外设接口 —— 模式0和模式3
- 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双输出模式）结构
- 2048个相等的扇区，每个扇区4K字节
- 任何扇区均可单独擦除
- 128个相等的块，每个块64K字节
- 任何块均可单独擦除
- 编程能力：基于字节；基于页面（256字节）
- 从 -1V至Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA
- 高性能
- 快速访问时间：86MHz串行时钟
- 双输出模式的串行时钟：80MHz
- 快速编程时间：每页0.6ms（典型值）和3ms（最大值）
- 字节编程时间：9μs（典型值）
- 快速擦除时间：每扇区40ms（典型值）；每块0.4s（典型值）
- 低功耗
- 86MHz时的低有源读取电流：25mA（最大值）
- 低有源编程电流：15mA（典型值）
- 低有源扇区擦除电流：9mA（典型值）
- 低待机电流：12μA（典型值）
- 深度掉电模式：2μA（典型值）
- 典型的100,000次擦除/编程循环
- 20年的数据保留期
- 输入数据格式：1字节命令代码
- 高级安全特性
- 块锁定保护：BP3~BP0状态位定义了软件保护区域的大小，以防止编程和擦除指令
- 额外的512位安全区域用于唯一ID
- 自动擦除和自动编程算法
- 自动擦除并验证所选扇区的数据
- 通过内部算法自动对所选页面进行编程和验证，该算法会自动控制编程脉冲宽度（任何要编程的页面应首先处于擦除状态）
- 状态寄存器特性
- 电子识别
- JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
- RES命令用于获取1字节设备ID
- REMS命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
- 封装
- 8引脚SOP（200密耳）
- 16引脚SOP（300密耳）
- 8焊盘WSON（8x6mm）
- 所有设备均符合RoHS标准且无卤素