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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接覆铜基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V~电气隔离
- 动态dv/dt额定值
- 雪崩额定
- 快速本征整流器
- 低RDS(on)
- 低漏极到散热片电容
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源
- 交流电机驱动器
- 高速功率开关应用
- 源极-漏极二极管