RQ3E120BNTB
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E120BNTB
- 商品编号
- C7299362
- 商品封装
- HSMT-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@15V |
商品特性
- 国际标准封装
- 耐用的PolarP™工艺
- 雪崩额定
- 低封装电感
应用领域
- 高端开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备