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GS81313LQ36GK-800I引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GS81313LQ36GK-800I

GS81313LQ36GK-800I

品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS81313LQ36GK-800I
商品编号
C7282754
商品封装
BGA-260(14x22)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型-
存储容量144Mbit
工作电压-
读写时间-
属性参数值
工作温度-40℃~+100℃
工作电流2.55A
待机电流-
功能特性内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能

商品概述

SigmaQuad-IIIe ECCRAMs是SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe高性能ECCRAM系列中独立I/O的一半。尽管与GSI第二代网络SRAM(SigmaQuad-II/SigmaDDR-II系列)非常相似,但这些第三代器件提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由宇宙射线、α粒子等SER事件引起的错误。这些器件的软错误率预计小于0.002 FITs/Mb,比没有片上ECC的同类SRAM(通常SER为200 FITs/Mb或更高)有5个数量级的改进。

商品特性

  • 提供4Mb x 36和8Mb x 18组织架构
  • 最高工作频率800 MHz
  • 峰值事务速率1.6 BT/s(每秒十亿次)
  • 峰值数据带宽115 Gb/s(在x36器件中)
  • 独立的I/O DDR数据总线
  • 非复用DDR地址总线
  • 每个时钟周期两个操作 - 读取和写入
  • 突发长度为2的读取和写入操作
  • 3周期读取延迟
  • 片上ECC,软错误率几乎为零
  • 核心电压1.25V ~ 1.3V
  • HSTL I/O接口电压1.2V ~ 1.3V
  • 可配置的片上终端
  • ZQ引脚用于可编程驱动阻抗
  • ZT引脚用于可编程ODT阻抗
  • 符合IEEE 1149.1 JTAG的边界扫描
  • 260引脚,14mm × 22mm,1mm球间距,6/6 RoHS兼容BGA封装

数据手册PDF