GS81313LQ36GK-800I
GS81313LQ36GK-800I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS81313LQ36GK-800I
- 商品编号
- C7282754
- 商品封装
- BGA-260(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 144Mbit | |
| 工作电压 | - | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 工作电流 | 2.55A | |
| 待机电流 | - | |
| 功能特性 | 内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
SigmaQuad-IIIe ECCRAMs是SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe高性能ECCRAM系列中独立I/O的一半。尽管与GSI第二代网络SRAM(SigmaQuad-II/SigmaDDR-II系列)非常相似,但这些第三代器件提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由宇宙射线、α粒子等SER事件引起的错误。这些器件的软错误率预计小于0.002 FITs/Mb,比没有片上ECC的同类SRAM(通常SER为200 FITs/Mb或更高)有5个数量级的改进。
商品特性
- 提供4Mb x 36和8Mb x 18组织架构
- 最高工作频率800 MHz
- 峰值事务速率1.6 BT/s(每秒十亿次)
- 峰值数据带宽115 Gb/s(在x36器件中)
- 独立的I/O DDR数据总线
- 非复用DDR地址总线
- 每个时钟周期两个操作 - 读取和写入
- 突发长度为2的读取和写入操作
- 3周期读取延迟
- 片上ECC,软错误率几乎为零
- 核心电压1.25V ~ 1.3V
- HSTL I/O接口电压1.2V ~ 1.3V
- 可配置的片上终端
- ZQ引脚用于可编程驱动阻抗
- ZT引脚用于可编程ODT阻抗
- 符合IEEE 1149.1 JTAG的边界扫描
- 260引脚,14mm × 22mm,1mm球间距,6/6 RoHS兼容BGA封装
- GS8161Z36DGD-333I
- GS8162Z18DGD-250I
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- GS82564Z36GB-250I
- GS82582D20GE-550I
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- GS8320Z36AGT-333IV
- GS832136AGD-333I
- GS8342D18BGD-300I
- RGC1/16C3010BTP
- RGC1/16C3013BTP
- RGC1/16C3013FTP
- RGC1/16C3090DTP
- RGC1/16C3092BTP
- RGC1/16C3160FTP
- RGC1/16C3161BTP
- RGC1/16C3302BTP
- RGC1/16C3323BTP
- RGC1/16C3403DTP
- RGC1/16C3480FTP


